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10V45無(wú)可比擬的ASEMI低壓降肖特基二極管 

編輯-Z

肖特基二極管10V45滿足了薄，低，小和高效等電子產(chǎn)品的特性，使得10V45越來(lái)越多地用于各種電子數(shù)碼產(chǎn)品中。那么為什么說(shuō)10V45無(wú)可比擬的ASEMI低壓降肖特基二極管呢？

ASEMI低壓降肖特基二極管10V45封裝方式為TO-277，其尺寸僅為普通人小指指甲大小的1/3，厚度為1.25mm，可以看出它很薄，10V45整流器電流可以達(dá)到10A，反向耐壓45V，10V45與同類型的肖特基二極管相比，除了小巧而纖薄外，其特點(diǎn)還在于正向壓降低。

型號(hào)：10V45

電性參數(shù)：10A 45V

芯片材質(zhì)：Mikron

正向電流(Io)：10 A

正向電壓(VF)：0.37

芯片尺寸：110 Mil

浪涌電流Ifsm：150A

漏電流(Ir)：10ua

工作溫度：-50 ℃ ~ 125 ℃

恢復(fù)時(shí)間(Trr)：5ns

低VF值10V45肖特基二極管的VF數(shù)值是指正向壓降低，因?yàn)殡娮釉�件本身具有一定的�?nèi)部電阻值，所以當(dāng)電路工作時(shí)，組件本身會(huì)產(chǎn)生壓降，與電流會(huì)形成一定的電能損耗。

因?yàn)殡娐分械碾娏鞔笮∈翘囟ㄐ枨蟮模�所以正向壓降的大小與功率損耗成正比。人類文明和科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步對(duì)電子設(shè)備的節(jié)能提出了更高的要求。減少無(wú)效電能浪費(fèi)的需求是未來(lái)電子組件的普遍趨勢(shì)。

普通的10安培TO-220封裝的肖特基二極管的VF值通常在0.7V-0.8V之間，而ASEMI推出了TO-277封裝10安培的肖特基二極管“10V45”，其VF值（正向壓降）低至0.35V-0.4V，在業(yè)界受到高度贊揚(yáng)。

ASEMI低壓降肖特基二極管10V45，其體積更小，貼片式安裝更便于批量生產(chǎn)，它的VF值（正向壓降）比普通的肖特基二極管低一半。在相同的工作效率下，10V45具有更少的功率損耗，具有無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)。